（报告出品方/作者：中银证券，陶波、叶善庭）
钙钛矿：吸引力？提效空间较高，应用场景丰富，成长初期
钙钛矿行业处于0-1的成长初期：上半年以来，国内频出钙钛矿产业的积极信号，宁德、腾讯等汽车及互联网行业的头部机构入股钙钛矿项目，钙钛矿-晶硅叠层效率也突破了31%，证实其叠层效率远超晶硅电池的优势。在TOPCon、HJT、XBC等电池技术争相扩大产能的产业环境下，多个钙钛矿的大尺寸中试线项目落地，见证其从年提出概念，到13年后厂商跃跃欲试的快速发展阶段，同时/7纤纳光电出货全球首款钙钛矿商用组件，也标志着钙钛矿组件商业化探路的开端。
特点一：转换效率领先优势获实验室证实，钙钛矿吸光层为提效的核心
钙钛矿型材料特点1：易于合成，稳定的钙钛矿相决定电池稳定性。钙钛矿型材料为与矿物钙钛氧化物ABX3化学结构类似的离子晶体的统称，易于实验室合成，可避免材料的稀缺性涨价。据X阴离子划分，ABO3无机氧化物钙钛矿在可见光下的光电效应较差；而主流的ABX3为卤化物钙钛矿，其中A为有机阳离子(如甲胺、甲脒等)或无机阳离子(如铯)；B为二价金属阳离子(如铅或锗)；X为卤素阴离子。根据八面体笼的旋转形态，分为立方、四方、正交等钙钛矿相，而稳定的钙钛矿相对于电池稳定性至关重要，立方相为理想形态。同时可改变不同的A位阳离子，通过离子半径算出的容忍因子α，如APbI3钙钛矿的α在0.8-1时，形成稳定的钙钛矿相，提升稳定性、转换效率。
钙钛矿型材料的特点2：光电特性优秀，带隙可调决定吸收更宽的光谱。由于钙钛矿的成分选择具有灵活性，A、B和X位离子可以被多种元素取代，提供了较宽的带隙可调性。根据Schockely-Queisser极限曲线，单结太阳能电池光吸收材料的最佳带隙为1.4eV。钙钛矿作为直接带隙材料（例如CH3NH3PbI3，带隙1.5eV)，在可见光全波段范围内具备全光谱吸收能力，且NanoEnergy提到钙钛矿材料在–nm波长范围的可见光谱上，具有约1×cm1量级的高吸收系数，比传统单晶硅大一个数量级，因此纳米厚的钙钛矿薄膜，就可以吸收硅薄膜微米厚度才能吸收的光。
钙钛矿组件由多个功能层堆叠而成，吸光层是提效的核心。晶硅电池和钙钛矿组件的本质工作原理都是通过空穴和电子的扩散形成内电场，不同点在于：A.晶硅电池是直接形成P-N结：P-N结的势垒电容与P型/N型半导体的掺杂浓度和温度有关，且势垒厚度较薄，容易发生雪崩击穿，从而承受的反向电压有限，且感光灵敏度较小；B.钙钛矿组件是P-i-N结：P-i-N结因为有i层-本征半导体（即钙钛矿层）的存在，势垒厚度很大，能承受很大的反向电压，且能吸收大量的光子并转换为载流子。同时，i层选用的钙钛矿材料充分吸收不同波长的太阳光，对蓝/绿光的吸收强于晶硅电池，其高结晶度极大减小载流子复合。
钙钛矿单结组件的研发效率已接近26%，平均每年至少提升0.5%，极限为31%。自年提出技术至今，钙钛矿单结电池的实验室效率从3.8%提升到25.8%，13年间平均每年提升1.69%，而-年则平均每年提升0.5%。相比PERC、TOPCon、IBC等技术在90年代已经实现20%以上的实验室转换效率，钙钛矿发展速度极快。据德国ISHF实验室数据，PERC电池理想条件下极限效率为24.5%，单面TOPCon工艺的理论效率在24.9%-27%之间，双面TOPCon工艺达28.7%，HJT工艺的理论机械转换效率是27.5%，晶硅电池理论极限效率为29.43%，而作为薄膜电池的钙钛矿光伏组件的单结理论效率为31%，远超晶硅电池，是未来钙钛矿-晶硅叠层电池转换效率达到50%以上的重要推力。
特点二：一体化工厂降低生产成本，钙钛矿材料具备成本优势
相比晶硅电池，钙钛矿工序大大缩短，单GW产能投资额更低。根据协鑫光电的数据，晶硅电池的制备，从硅料到组件至少经过4道工序，单位制程需要3天以上，同时还需要大量人力、运输成本等；而钙钛矿组件在单一工厂完成生产，原材料经过加工后直接成组件，没有传统的“电池片”工序，大大缩短制程耗时，单位制程耗时仅需约45分钟。从单GW产能投资额来看，与晶硅电池相比，硅料+硅片+PERC电池+组件合计需要约10亿元投资，而目前的钙钛矿10MW中试线投资额为0.7-0.8亿元，达到量产成熟度之后，单GW产能仅需5亿元投资额，约晶硅电池单GW产能投资额的1/2。
降本途径分析2-发电量：钙钛矿组件理论寿命可达30年，控制衰减率能做到更低的度电成本：据杨文侃《钙钛矿系列光伏组件的度电成本分析》测算，寿命25年的钙钛矿组件若线性衰减小于0.6%，度电成本低于晶硅组件。
钙钛矿温度系数绝对值比晶硅低2个数量级，不易受温度影响：从温度系数量化来看，晶硅组件约为-0.3，即温度每上升1度，功率会下降0.3%，例如在实际应用场景，出厂效率20%，当温度升到75度，效率大约就只剩16-17%。而钙钛矿的温度系数为-0.，非常接近于0，因此它效率几乎不受温度影响，实际发电效率显著高于晶硅。
由于电路结构不同，钙钛矿组件比晶硅组件受遮挡的负面影响小，发电量平均高5%：晶硅组件一般由60或72片独立电池片串联形成，当受到局部遮挡或损坏时，会出现热斑效应。而钙钛矿组件属于薄膜电池，通过工艺在整个面板上实现电路结构，电路之间互相连接，在受到同样遮挡时发电量影响比晶硅小很多，根据杨文侃《钙钛矿系列光伏组件的度电成本分析》测算，遮挡条件下钙钛矿组件比晶硅发电量高4.05%-6.05%，度电成本降低0.-0.元/kWh。
特点三：轻薄且适应柔性基底，下游应用场景丰富
钙钛矿组件适应多元化的刚性/柔性基底。尽管晶硅电池可通过柔性材料封装制成柔性组件，但晶硅电池片容易断裂，对封装技术和封装材料性能要求非常高，因此薄膜电池更适合应用到柔性组件上。而由于CIGS等薄膜电池的制备温度较高，平板柔性电池通常使用的PET或PEN基底承受温度一般不超℃，叠加柔性组件的卷对卷印刷工艺与钙钛矿制备兼容，因此钙钛矿组件更具备柔性应用空间。鉴于钙钛矿组件更轻薄、设计更友好的特点，厂家可按客需定制模块的形状、颜色和尺寸，并安装在屋顶、车顶、玻璃幕墙等任何空闲区域，叠加模块颜色可调，完美解决光伏在建材应用的美学问题。钙钛矿材料的柔性、轻薄、颜色可调、高电压等特性使其具备广泛应用各场景的潜力。
特点四：钙钛矿多结叠层效率可达晶硅电池的2倍，叠层技术取决于界面复合层
钙钛矿-晶硅叠层电池研发效率已突破31.3%。钙钛矿带隙宽度可调，可制备高效叠层电池，相比于单个PN结的钙钛矿太阳能组件，多结的PSCs光谱吸收效果更好、效率更高，但成本也更高。钙钛矿可制备2结、3结及以上的叠层电池，钙钛矿2结叠层电池理论转换效率达35%，而3结叠层效率可达45%以上，如果掺杂新型材料，甚至能达50%，约为目前晶硅材料的2倍。
2结叠层电池有钙钛矿-钙钛矿、钙钛矿-晶硅叠层电池两种。钙钛矿-晶硅叠层电池即将钙钛矿组件与硅电池按能隙从大到小的顺序从外向里叠合起来，让短波长的光被最外侧的宽带隙钙钛矿太阳能组件吸收，波长较长的光能够透射进去让窄带隙的硅太阳能电池吸收，可最大限度地将光能变成电能，目前获得了最广泛的研究，最新效率已突破31.3%。
全钙钛矿（钙钛矿-钙钛矿）叠层具备潜力，一体式叠层为主流结构。根据结构不同，叠层钙钛矿组件分为一体式结构和分离式结构，依据输出端子数量的不同，又可分为两端子和四端子结构。四端子结构能实现较高的实验室效率，但四端子叠层电池中的光学耦合叠层需要使用光学分光镜，成本过于高昂，而机械堆叠式需要三层透明电极，会降低电池转换效率。相比之下，一体式钙钛矿叠层结构简单，设备和工艺相对成熟，适合产业化。南京大学谭海仁团队实现了小面积全钙钛矿叠层电池28%的实验室效率，成立仁烁光能并开启全钙钛矿叠层电池的产业化。
面临挑战：大面积组件的制备难度、稳定性不足、降低材料的毒性
相比晶硅电池，钙钛矿组件缺陷实际影响程度有限，同时为实现产业化，学术界和产业界针对缺陷不断研究改良方法，已有一定成果：
大面积制备的难度：发展狭缝涂布等多种制备新工艺。实验室制备的高转换效率组件，基本是在1cm2的极小面积薄膜上实现，大多使用旋涂法，但该工艺的转速很高，难以沉积大面积、连续的钙钛矿薄膜。取而代之的是狭缝涂布法，还有软膜覆盖沉积法(SCD）、板压法、气固反应法、刮涂法等能放大尺寸的工艺。解决此问题关键点在于工艺改良。年4月，极电光能在cm2的大尺寸钙钛矿光伏组件上，创造了该尺寸面积下18.2%光电转换效率的新世界纪录。年7月，微纳科技成为全球首家量产40*60cm柔性钙钛矿组件厂商，承诺效率达到21%；同时，纤纳光电实现出货片××6.4mm钙钛矿组件供省内工商业分布式钙钛矿电站使用，证实大面积钙钛矿组件问题逐渐得到改善。
不稳定性：尝试兼容更多种材料，封装为核心改良环节，稳定性已逐步增强。为改善钙钛矿组件的不稳定性，业界聚焦于封装技术和材料结构的替换。钙钛矿材料对水汽极度敏感，易产生不可逆转的降解，因此室温环境下组件效率会随时间增长而衰减。但钙钛矿可容忍1%级别的杂质，对缺陷杂质容忍度远高于晶硅，可选用更多类型材料增强稳定性。同时，年昆山协鑫光电围绕封装进行实验，发现封装不佳的组件很快就衰减，但良好封装的组件，在双85（85℃、85%RH）条件下，个小时内没有任何衰减。
含毒性：无铅化为钙钛矿材料研究的重要方向。由于含铅钙钛矿更适合低温制备，光电效应较好，因此钙钛矿组件大多含具备毒性的铅，会对外部环境造成污染。实际上晶硅组件的焊带通常含铜箔涂铅，每一块标准尺寸的晶硅组件里约含18克铅，而同样尺寸的钙钛矿组件含铅量不超2克，因此钙钛矿组件的含铅量只有晶硅的1/10。同时，钙钛矿材料的优点之一是可以对材料成分进行设计，有利于采用低毒的元素替代铅，目前大量研究工作采用来自该族的Ge、Sn以及来自周期表中的Bi和Sb等环境友好元素来替代铅。
钙钛矿：技术突破对国产设备商的意义？延长产品生命周期
组件结构由多个功能层铺设而成，多种制备工艺并存
钙钛矿组件主要有3类结构框架，反式平面结构适合产业化。常见的3类“三明治”结构为介孔结构和平面结构（分为正式平面、反式平面，区别：钙钛矿底层材料对钙钛矿内的电子或空穴的提取能力不同，P型半导体主要传递空穴，N型半导体主要传递电子）。1.正式(n-i-p)平面结构（效率更高）：转换效率比反式结构高，具有较高的Voc和Jsc值，但空穴传输层在核心的钙钛矿层上面，在选材的温度耐受性和性能平衡上还不能很好的匹配，且迟滞效应比反式结构明显（迟滞效应降低电池测试的准确性和电池性能）；2.正式(n-i-p)介孔结构（优化版本，使钙钛矿层更稳定）：与正式平面结构类似，介孔层的掺杂能改善钙钛矿层和电子传输层的接触，提升电子的提取能力，但介孔层需要°C高温烧结，不能和柔性衬底结合，不适宜投入量产。3.反式(p-i-n)平面结构（主流结构）：比正式结构的工艺更简便价廉、低温成膜、更适合与传统光伏电池结合叠层器件等，同时因为反式(p-i-n)结构中，空穴层选材的扩散长度/系数比电子层的短/低，更有利于电荷的平衡抽取，从而抑制迟滞效应。由于适合叠层结构延伸及产业化、工艺成本低，为目前的主流结构。但面临转换效率较低、电子传输层用材昂贵和热稳定性差等限制。
以协鑫纳米的发明专利《一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法》为例，涉及正式介孔结构，使用匀胶机(实验室级别)、PVD（磁控溅射、蒸镀），钙钛矿层选用涂布机，与反式结构的制备方案类似。
钙钛矿层：大面积制备难度较高，狭缝涂布工艺为主流
钙钛矿层的制备分4种反应原理和2大类工艺。作为钙钛矿组件的核心层，钙钛矿层及上下电荷收集层界面的制备至关重要，薄膜厚度、大面积均匀性、成膜速度控制为重要技术指标。目前钙钛矿层的制备从反应原理上分为4种，即一步溶液法、两步溶液法、双源气相蒸发法、气相辅助溶液法。
狭缝涂布为钙钛矿层的主流大面积制备工艺。从工艺角度划分，适应大面积沉积钙钛矿薄膜的有湿法涂布、印刷等2大类工艺，其中狭缝涂布工艺具备制程可控性较强、材料利用率高等特点，成为目前钙钛矿层的主流制备工艺；而丝网印刷工艺适用于全印刷型钙钛矿组件的制备。
第一类-湿法涂布工艺：根据涂布头分为狭缝涂布工艺、刮刀涂布工艺等。
狭缝涂布（主流选择）：非接触式涂布技术，在玻璃/金属/聚合物等基材上将特制油墨沉积形成超薄均匀涂层，涂层厚度取决于施加到基材上的油墨量除以涂布面积，硬件核心在于狭缝涂布头的耐腐蚀性、狭缝精度及油墨流动控制。特点是印刷速度快、成膜均匀、材料利用率高、运行成本低、适用油墨的粘度广等。除了光学薄膜外，也用在锂电池隔膜、液晶面板等精密涂布。
刮刀涂布：与过量的油墨接触，通过调整刮刀与基底的距离来调整厚度，同时也与油墨的浓度、基底移动速度相关。特点是能兼容流动性弱的油墨，提高浓度、减小干燥负荷，涂布速度较快。同时涂布面较平整，不随原表面的凹凸而起伏。
第二类-印刷工艺：分为喷墨印刷法、喷涂法、丝网印刷法、凸板印刷法、凹版印刷法等。
丝网印刷（全印刷型钙钛矿组件的量产工艺）：特点是生产成本极低(资本支出和运行成本)、高吞吐量。同时是制造微米级厚度介孔支架的有效方法，但介孔层结构需要摄氏度高温制备，面临容易破坏钙钛矿层的挑战。据Swansea大学研究发现，可以通过丝网印刷将钙钛矿组件印在建筑物钢顶上，而国内的万度光能将投建全丝网印刷工艺生产的MW介观钙钛矿组件产线。
喷墨印刷：与器件无接触的印刷技术，和打印机原理类似，打印机头和油墨相连，压力脉冲控制油墨的吞吐量。特点是材料利用率较高，能够精准灵活控制打印形状、厚度等，技术的关键挑战在于油墨高吞吐量的时候能否保持印刷的精度，以及能否找到兼容的动态粘度、密度和表面张力的油墨。由于印刷速度受限于喷嘴数量，喷墨印刷的速度较其他沉积薄膜工艺慢。
喷涂：同样为非接触型印刷技术，通过改变油墨的成分、浓度、喷嘴角度、移动速度等，达到控制钙钛矿薄膜厚度及高吞吐量操作的目的。特点是材料损耗较低，能够高吞吐量处理，但挑战在于晶体生长厚度的变化、溶液去湿以及由表面张力驱动的薄膜覆盖不均等。
凸版印刷、凹版印刷：在钙钛矿组件研发中使用较少。
狭缝涂布工艺从平板显示、锂电池极片领域沿用至钙钛矿，技术应用经验丰富。(1)平板显示面板也由不同功能薄膜组成，其中柔性OLED的结构和钙钛矿组件最为接近，核心PI导电膜使用狭缝涂布工艺制备，此外液晶面板的光学膜也使用狭缝涂布工艺制备，平板显示面板领域已有大面积使用狭缝涂布工艺的经验；(2)锂电池的极片涂布是卷对卷工艺，将浆料快速均匀地涂覆在正负极集流体，因为事关锂电池的容量、安全性等，因此对涂层的膜厚、均匀性、尺寸精度等要求均非常严格。因此，业界对狭缝涂布工艺在技术原理的掌握和应用经验上已较为成熟，更多在精度、设备控制、浆料配方上追求精益求精，能够在钙钛矿膜层上沿用。大面积钙钛矿层的制备难点在于，没能达到实验室级别的均匀度。实验室通常采取旋涂法，利用旋转的离心力将膜厚制备均匀，形成高效率的小面积钙钛矿组件，但旋涂法的浆料使用率较低，大尺寸的生产成本较高，且不适宜产业化。目前换用高精度控制的狭缝涂布工艺，无法将膜层做到实验室里的均匀效果，而且尺寸放大后容易形成凹凸不平的表面、内部含气泡等，因此大面积钙钛矿组件的难度更多在于工艺而非设备，量产效率与实验室效果还有较大距离，也是业界积极突破的方向。
钙钛矿企业主要选择狭缝涂布工艺路线。我们对国内部分领先钙钛矿企业的公开专利进行统计，在钙钛矿层制备工艺的选择上，主要是狭缝涂布和蒸镀PVD，而协鑫光电、纤纳光电等在刮涂、喷涂上也有尝试布局，此外CVD、丝网印刷工艺属于少数选择方向。
国产PVD设备商率先受益。尽管产业实验室、科研院所前期主要使用进口设备进行研发，而根据已公开信息，目前国内部分含钙钛矿用PVD的设备商已进入出货验证或完成验证阶段，如(1)捷佳伟创向某领先钙钛矿厂商出货了―立式反应式等离子体镀膜设备”(RPD)，并于22/07再次中标量产型RPD订单；(2)京山轻机旗下晟成光伏的团簇型多腔式蒸镀设备已量产，并成功应用于多个客户端；(3)众能光电截至21年底的钙钛矿PVD设备出货量达30台套；(4)湖南红太阳的首台钙钛矿电池用PVD及ALD镀膜设备发货，成功中标龙头客户钙钛矿电池项目。(5)合肥欣奕华的蒸镀事业部有对真空蒸发法制备钙钛矿电池薄膜的研究。其中，不乏有已在HJT布局有PVD的捷佳伟创、湖南红太阳等，随着钙钛矿产线的逐步落地，国产设备商有望持续受益。
P1-P4层：主要使用激光刻蚀设备，国产激光设备商跃跃欲试
P1-P3用激光划刻，P4用激光清边。钙钛矿用激光设备主要使用纳秒/皮秒/飞秒脉宽等波段的绿光激光或红外光纤光源进行刻蚀划线，被切割处很快被加热至汽化温度蒸发形成线槽，目的是阻断电流导通，形成多个单独的电池模块，串联电池，增大电压。激光刻蚀激光的工艺精度、对薄膜材料的损伤、缺陷控制、刻划断面的粗糙度均对电池效率、寿命具有重大影响。
国产激光设备商早已布局，竞争较活跃。国产激光设备商在钙钛矿领域早有技术布局，如(1)众能光电截至21年底已出货钙钛矿激光划线刻蚀设备50台套；(2)大族激光表示其钙钛矿激光刻划设备在年已实现量产销售，并和相关客户一直保持合作关系；(3)杰普特与大正微纳科技共同研发出柔性钙钛矿激光膜切设备，通过验收并正式投入生产使用。而传统光伏设备商也积极布局钙钛矿用激光设备，如(4)迈为股份年为客户定制的单结大面积钙钛矿电池激光设备已交付，钙钛矿设备仍处于研发阶段；(5)帝尔激光公告将交付用于钙钛矿电池的激光设备，应用于TCO层、钙钛矿层、电极层。国内钙钛矿激光设备的参与者较多，已有众能光电、杰普特等步入商业化阶段的国产设备商。
封装：决定钙钛矿电池的稳定性和寿命
主要有2代封装技术。钙钛矿电池的各功能膜层材料，对暴露大气中的水蒸气、氧气、紫外光、压力等比较敏感，钙钛矿材料很快分解，同时组成钙钛矿晶体的有机小分子会从晶体逃逸，引发钙钛矿晶体的分解，使用寿命比设计值要低得多，因此封装工艺能够将钙钛矿组件与大气环境隔离，防止被杂质污染和腐蚀，是提升钙钛矿组件使用寿命的关键环节。据长光所Light中心介绍，目前主要有2代封装工艺：一代：通过蒸发金属喷射器和焊接金属带，将电流从电池传导到外部，并将金属带的边缘密封，器件位于封闭空腔中心。二代：利用透明ITO电极将钙钛矿与金属电极分离，确保电极与钙钛矿组件之间有间隙，而直接利用ITO电极进行封装，对钙钛矿组件的密封效果更佳。
钙钛矿电池封装涉及PVD、CVD、层压机等设备。据协鑫光电公开的某类实用新型专利显示，其钙钛矿电池的封装工艺包括两个封装层工序，(1)第一封装层由致密的金属化合物组成，包括阻挡氧气、钙钛矿电池挥发的有机小分子等的水气阻隔层，均匀覆盖在钙钛矿太阳能电池表面，厚度在纳米级；第一封装层可采用CVD、PVD、ALD中任意一种方式。(2)第二封装层采用热熔胶膜，包括EVA膜或POE膜，厚度为微米或毫米级；第二封装层可采用成熟的晶硅组件封装方式，但封装核心在于热熔胶膜的适用温度，由于市场上的EVA膜配方更多适用于晶硅光伏组件，使用温度在-°C，对于钙钛矿材料而言温度过高，容易挥发的有机小分子在真空和加热的双重作用下更容易脱离晶体结构，降低钙钛矿层的活性，而降低温度又会弱化封装效果。(3)背板与第二封装层相连；采用层压机。
国产设备商蓄势待发，静待技术进步推动产线规划落地
国产设备商具备提供定制化钙钛矿设备的能力，竞争格局未定型。从不同膜层所需设备来看，(1)激光设备为通用性较高的设备，其他电池技术路线的激光设备较容易复用到钙钛矿电池上，便于国产激光设备商布局。(2)PVD有较多设备商布局，竞争多样化，其中金属电极层的蒸镀设备技术难度可控，有布局真空技术的厂商也较容易进入；RPD的技术难度与PVD相当，但受限于日本住友的专利垄断且成本较高，目前仅捷佳伟创拥有技术专利授权。在建立中试线初期，为保证钙钛矿产成品与设计性能/稳定性一致的情况下，(3)涂布机更多使用nTact和东丽工程等进口设备，国内已有上海德沪涂膜等领军企业。(4)封装环节国内已有弗斯迈等合作企业，晶硅光伏组件领域的成熟封装设备商也有望受益。
钙钛矿：产业化潜质？以史为鉴，期待未来的3-5年
复盘历史，光伏市场需求由政策驱动向市场驱动转型，实现外驱向内驱发展
(1).政策驱动期：国内PERC产能、光伏装机量高速发展。在PERC发展初期，国外主导核心技术和产能，而国内光伏产业的发展，主要受欧美市场需求驱动。年，在欧债危机和“双反”调查的影响下，全球光伏产业陷入低谷，同年，国家“‖专项启动，对PERC电池效率、量产规模等作出指示，标志国内PERC正式进入产业化阶段。-年，为应对光伏产业发展初期的高成本，国家推出多项补贴政策扶持企业，吸引大批新兴参与者布局，光伏需求回暖。年，在“光伏领跑者计划”刺激下，积极推动技术转型，财政支持先进技术研发，PERC产能全球领先。-年，“十三五”规划刺激下，抢装潮迅速推高需求节奏，同时产能超预期扩张，供需关系偏向过剩，同期HJT、TOPCon、钙钛矿等开始出现中试线。PERC发展初期多受政策驱动，国内厂商主要引进国外成熟先进技术和设备，主要是产业规模化趋势，而产能扩张后周期中，叠加电池技术进步，促进新旧产能替换、新技术的萌芽。
(2).市场驱动期：补贴退潮，“平价上网”造就光伏产业第二增长曲线。年，“‖新政明确光伏产业“平价上网”，政策扶持收紧、补贴退坡，光伏企业加速技术革新，加速落后产能和技术出局，光伏产业由规模化向高质量、高效益发展，“降本增效”兴起，技术呈多元化“萌芽期”。-年，平价上网临近，光伏技术多点突破，其中HJT产能出现大规模规划并有更多中试产线开工。随着硅料、辅材、设备等技术迭代，PERC电池成本优势显现，进入爆发式发展阶段。年至今，PERC持续扩张，N型技术效率提升凸显性价比，N型路线投产开始白热化，加速进入商业化，TOPCon投建积极，HJT逐步发力，钙钛矿技术突破并出现小规模投产探路。在碳中和、节能减排的全球共识下，光伏需求迅速攀升，产业受资本市场
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